جلد 17، شماره 2 - ( تابستان 1400 )                   جلد 17 شماره 2 صفحات 33-25 | برگشت به فهرست نسخه ها

‎ 20.1001.1.17353351.1400.17.0.4.3

XML Print

بررسی افزودنی اکسید تیتانیوم بر ریزساختار و خواص دی الکتریکی اکسید روی
اسماعیل صادقی ده چناری ، هاجر احمدی مقدم*
دانشگاه شهرکرد ، hajarahmad2@gamil.com
چکیده:   (2304 مشاهده)
اکسید روی به دلیل ویژگی‌‌های منحصر به فرد به صورت گسترده در زمینه‌های مختلف از قبیل دستگاه‌‌های الکترونیک، مبدل‌‌های پیزوالکتریک، وریستورها، کاتالیست‌‌ها و فوتوالکتریک استفاده می‌شود. در تحقیق حاضر، تأثیر افزودنی اکسید تیتانیوم (TiO2) بر خواص سرامیک اکسید روی مطالعه شد. مقادیر 5/0، 1 و 2 درصد وزنی TiO2 به اکسید روی افزوده و خواص مختلف شامل چگالی، رفتار فازی، ریزساختار و خواص دی‌الکتریک اکسید روی مورد بررسی قرار گرفت. نمونه‌‌ها با چگالی نسبی بالا و در حد 98 درصد چگالی تئوری با عملیات تف جوشی در دمای ºC 1250 حاصل شد. طبق نتایج حاصل از پراش اشعه ایکس (XRD)، افزودنی TiO2 منجر به ایجاد فاز ثانویه Zn2TiO4 در اکسید روی می‌شود و با افزایش مقدار TiO2  مقدار فاز ناخالصی افزایش و میزان جابجایی پیک‌‌ها به سمت زوایای پایین تر بیشتر می‌شود. نتایج بررسی ریزساختار نشان داد افزودنی TiO2 تاثیر چشمگیری بر ریزساختار اکسید روی خواهد داشت به گونه ای که با افزایش مقدار افزودنی TiO2 رشد دانه کاهش می‌یابد. افزودنی TiO2 باعت کاهش خواص ثابت دی‌الکتریک و اتلاف دی‌الکتریک اکسید روی به میزان قابل توجهی شد. با افزودن 2 درصد وزنی TiO2، ثابت دی‌الکتریک اکسید روی از مقدار 48200 به 1400 و مقدار اتلاف دی‌الکتریک اکسید روی از مقدار 20 به 4/5 اندازه گیری شده در فرکانس 100 کیلو هرتز کاهش یافت. کاهش در مقدار ثابت دی‌الکتریک اکسید روی می‌تواند به اندازه دانه کوچکتر، وجود فاز ناخالصی و عیب جای خالی کاتیون در حضور افزودنی TiO2  نسبت داده شود.
واژه‌های کلیدی: اکسید روی، اکسید تیتانیوم، چگالی، رفتار فازی، ثابت دی الکتریک، ریزساختار
متن کامل [PDF 1334 kb]   (397 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: سراميک‌هاي الكتریكي، نوري و مغناطيسي
دریافت: 1400/7/6 | پذیرش: 1400/9/17
بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.