جلد 20، شماره 3 - ( ٌفصلنامه سرامیک ایران 1403 )
جلد 20 شماره 3 صفحات 15-8 |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه امیرکبیر ، z.mortazavi@aut.ac.ir
چکیده: (671 مشاهده)
چکیده
در این پژوهش، نانوساختارهای دوبعدی سولفید تنگستن )WS2( به روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی گرمایی (TCVD) در دمای °C 1100 ، با گاز حامل آرگون به شار حجمی استاندارد sccm ۱۵۰ ، بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی در یک کوره سه ناحیه‌ای و طی ۶۰ دقیقه رشد داده شدند. نمونه‌های حاصل به مدت ۱۰ دقیقه در معرض پلاسما با توان ۷۰ وات و شارش آرگون به میزان sccm ۵ قرار گرفتند. هدف این مطالعه، بررسی اثر پلاسما بر ساختار بلوری و خواص نوری سولفید تنگستن است. نتایج پراش اشعه ایکس (XRD) نشان داد که قله شاخص (002) در زاویه ۱۴ درجه پس از پلاسما شدت بیشتری یافت که بیانگر بهبود جهت گیری و آرایش لایه‌ها و کاهش فازهای ثانویه است. طیف‌سنجی رامان، کاهش شدت پیک E2g در cm⁻¹۳۴۲ و افزایش نسبت I(A1g)/I(E2g) را نشان داد که تأییدی بر کاهش تعداد لایه‌ها است. در طیف سنجی جذب فرابنفش- مرئی (UV-Vis) نیز جابه‌جایی قله اکسایتونی A از ۶۳۰ به ۶۲۴ نانومتر مشاهده شد که نشان‌دهنده افزایش گاف نواری و کاهش ضخامت لایه‌ها می‌باشد. این یافته‌ها نشان می‌دهد که پلاسما روشی مؤثر برای مهندسی لایه‌ها و بهینه‌سازی خواص سولفید تنگستن در کاربردهای نوری و الکترونیکی است.
در این پژوهش، نانوساختارهای دوبعدی سولفید تنگستن )WS2( به روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی گرمایی (TCVD) در دمای °C 1100 ، با گاز حامل آرگون به شار حجمی استاندارد sccm ۱۵۰ ، بر روی زیرلایه‌های سیلیکونی در یک کوره سه ناحیه‌ای و طی ۶۰ دقیقه رشد داده شدند. نمونه‌های حاصل به مدت ۱۰ دقیقه در معرض پلاسما با توان ۷۰ وات و شارش آرگون به میزان sccm ۵ قرار گرفتند. هدف این مطالعه، بررسی اثر پلاسما بر ساختار بلوری و خواص نوری سولفید تنگستن است. نتایج پراش اشعه ایکس (XRD) نشان داد که قله شاخص (002) در زاویه ۱۴ درجه پس از پلاسما شدت بیشتری یافت که بیانگر بهبود جهت گیری و آرایش لایه‌ها و کاهش فازهای ثانویه است. طیف‌سنجی رامان، کاهش شدت پیک E2g در cm⁻¹۳۴۲ و افزایش نسبت I(A1g)/I(E2g) را نشان داد که تأییدی بر کاهش تعداد لایه‌ها است. در طیف سنجی جذب فرابنفش- مرئی (UV-Vis) نیز جابه‌جایی قله اکسایتونی A از ۶۳۰ به ۶۲۴ نانومتر مشاهده شد که نشان‌دهنده افزایش گاف نواری و کاهش ضخامت لایه‌ها می‌باشد. این یافته‌ها نشان می‌دهد که پلاسما روشی مؤثر برای مهندسی لایه‌ها و بهینه‌سازی خواص سولفید تنگستن در کاربردهای نوری و الکترونیکی است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |