جلد 16، شماره 3 - ( پاييز 1399 )                   جلد 16 شماره 3 صفحات 61-45 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Hassan-Aghaei F, Mohebi M M. Evaporation Induced Self-Assembly Method for Mesoporous Silica Thin Films Synthesis: Mechanism, Affecting Parameters and Capabilities. Jicers 2020; 16 (3) :45-61
URL: http://jicers.ir/article-1-301-fa.html
حسن آقائی فاطمه، محبی محمدمسعود. ساخت پوشش‌های مزوسیلیس به روش خودآرایی القاشده با تبخیر؛ مروری بر سازوکار، عوامل مؤثر و قابلیت‌ها. فصلنامه سرامیک ایران. 1399; 16 (3) :45-61

URL: http://jicers.ir/article-1-301-fa.html


دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) ، m.mohebi@eng.ikiu.ac.ir
چکیده:   (2382 مشاهده)
لایه‌های نازک مزوسیلیس دارای اهمیت و کاربرد زیادی در حوزه‌های مختلف هستند. کنترل شکل، اندازه و میزان تخلخل‌های پوشش‌ها، نقش مهمی در عملکرد این پوشش در کاربردهای مختلف ایفا می‌کند. به‌منظور دستیابی به ویژگی‌های موردنظر، به­کارگیری روش­های مناسب اهمیت بسیاری دارد. در میان روش‌های مختلفی که برای ساخت پوشش‌های مزوسیلیس مورد استفاده قرار می‌گیرند، پرکاربردترین روش، روش خودآرایی القاشده با تبخیر است. امکان به‌کارگیری انواع عوامل فعال سطحی برای ایجاد تخلخل، ساخت انواع پوشش با ویژگی‌های مختلف، قابلیت اعمال پوشش بر انواع زیرلایه با شکل و جنس‌های گوناگون (فلزی، سرامیکی و پلیمری) از جمله‌ مزایای این روش هستند. مهم‌ترین بخش روش خودآرایی القاشده با تبخیر، آماده‌سازی محلول است و برای این کار نیاز است واکنش‌های صورت گرفته، مراحل آن و نقش هر یک از اجزا به‌خوبی شناخته شود. در این مقاله مروری به روش خودآرایی القاشده با تبخیر برای ساخت پوشش‌های مزوسیلیس، عوامل مؤثر بر آن و مهم‌ترین قابلیت‌های این روش پرداخته می‌شود.
واژه‌های کلیدی: پوشش، مزوسیلیس، تخلخل، خودآرایی
متن کامل [PDF 2922 kb]   (513 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي |
دریافت: 1399/2/12 | پذیرش: 1399/4/23

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.