fa اثر ترکیب بر پارامترهای فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه ZBS روش‌های نوین فرآوری و ساخت سرامیک‌ها New Methods of Processing and Fabrication of Ceramics پژوهشي Research <div style="text-align: justify;"><br> <span style="line-height:2;"><span style="font-size:12px;"><span style="font-family:Tahoma;"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" times=""><span lang="FA"><span b="" nazanin="">فلش زینتر<span style="color:black"> یکی از جدیدترین فرایندهای زینتر سرامیک&shy;ها است که به‌دلیل سرعت بالای زینتر و کاهش قابل توجه انرژی، اخیراً بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته است. ویژگی مهم برای انجام موفقیت‌آمیز فلش، داشتن رفتار نیم‌رسانایی با ضریب دمایی منفی (</span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">NTC</span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">) است. در این پژوهش فرایند فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه </span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">ZnO-Bi₂O₃-Sb₂O₃(ZBS)</span> <span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">مورد بررسی قرار گرفته و اثر تغییر نسبت مولی ترکیب و افزودن اکسیدکبالت</span></span></span> <span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">(</span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">Co₃O₄</span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">) به عنوان عامل افزایش‌دهنده هدایت الکتریکی مطالعه شده است. شرایط بهینه فرایند فلش با اعمال مقادیر مختلف میدان الکتریکی و چگالی جریان تعیین شد که نهایتاً میدان الکتریکی </span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">V/cm</span> <span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">300 و چگالی جریان </span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">mA/mm²</span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black"> 100 بدست آمد. </span></span></span><span lang="AR-SA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">بررسی ساختاری و شناسایی فازهای تشـکیل شـده به ترتیب به وسیلۀ میکروسـکوپ الکترونـی روبشـی و پـراش پرتـوی ایکس انجام شده است. اندازه‌گیری مشخصات الکتریکی وریستور (ضریب غیرخطی، ولتاژ شکست و جریان نشتی) تحت میدان الکتریکی</span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">DC</span><span lang="AR-SA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black"> صورت گرفت. </span></span></span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">چگالی نمونه دارای افزودنی اکسیدکبالت 97 درصد چگالی تئوری شد. نتایج </span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">SEM</span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black"> حاکی از تشکیل ریزساختار وریستور با متوسط اندازه دانه 3 میکرون می‌باشد. با تعیین مشخصات الکتریکی، رفتار وریستوری مشاهده شد که در آن ضریب غیرخطی 22، ولتاژ آستانه </span></span></span>&nbsp;<span dir="LTR" style="color:black">V/cm</span> <span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black">4500 و چگالی جریان نشتی </span></span></span><span dir="LTR" style="color:black">&mu;A/mm²</span><span lang="FA"><span b="" nazanin=""><span style="color:black"> 50 بود. </span></span></span></span></span></span></span></span><span style="font-size:10pt"><span style="direction:rtl"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" times=""><span lang="AR-SA" style="font-size:12.0pt"><span style="font-family:"B Nazanin""></span></span></span></span></span></span><br> &nbsp;</span></div> <div style="text-align: justify;"><span style="line-height:2;"><span style="font-size:11pt"><span style="unicode-bidi:embed"><span new="" roman="" times="">Flash sintering is one of the latest sintering processes of ceramics, which has recently attracted the attention of researchers due to its high sintering speed and significant energy reduction. An essential feature of successful flash is negative temperature coefficient (NTC) semiconductor behavior. In this research, the flash sinter process of ceramic varistor based on ZnO-Bi2O3-Sb2O3 (ZBS) has been investigated and the effect of changing the molar ratio of the compound and adding cobalt oxide (Co3O4) as an increasing factor of electrical conductivity has been studied. The optimal conditions of the flash process were determined by applying different values ​​of electric field and current density, and finally, the electric field was 300 V/cm and the current density was 100 mA/mm2. The structural investigation and identification of the formed phases have been done by scanning electron microscope and X-ray diffraction, respectively. The electrical characteristics of the varistor (non-linear coefficient, breakdown voltage, and leakage current) were measured under the DC electric field. The density of the sample with cobalt oxide additive was 97% of the theoretical density. SEM results indicate the formation of varistor microstructure with an average grain size of 3 microns. By determining the electrical characteristics, the behavior of the varistor was observed, in which the nonlinear coefficient was 22, the threshold voltage was 4500 V/cm and the leakage current density was 50 &mu;A/mm2.</span></span></span></span></div> فلش زینتر, وریستور, اکسید روی, ZBS Flash sintering, Varistors, ZnO 44 53 http://jicers.ir/browse.php?a_code=A-10-1905-1&slc_lang=fa&sid=1 Akbar Amini اکبر امینی amini.ak2003@gmail.com 10031947532846003140 10031947532846003140 Yes Iranian Research Organization for Science and Technology (IROST) سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران Marjan Rajabi مرجان رجبی rajabi_m1@yahoo.com 10031947532846003141 10031947532846003141 No Iranian Research Organization for Science and Technology (IROST) سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران Seyed mohammad Zahraee سید محمد زهرایی smzahraee@irost.ir 10031947532846003142 10031947532846003142 No Iranian Research Organization for Science and Technology (IROST) سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران Fatemeh Nourozian فاطمه نوروزیان fatemehnoruzian1992@gmail.com 10031947532846003143 10031947532846003143 No شرکت برقگیر توس