|
اثر ترکیب بر پارامترهای فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه ZBS
|
اکبر امینی*  ، مرجان رجبی، سید محمد زهرایی، فاطمه نوروزیان |
| سازمان پژوهشهای علمی و صنعتی ایران ، amini.ak2003@gmail.com |
|
|
چکیده: (643 مشاهده) |
فلش زینتر یکی از جدیدترین فرایندهای زینتر سرامیکها است که به‌دلیل سرعت بالای زینتر و کاهش قابل توجه انرژی، اخیراً بسیار مورد توجه محققین قرار گرفته است. ویژگی مهم برای انجام موفقیت‌آمیز فلش، داشتن رفتار نیم‌رسانایی با ضریب دمایی منفی (NTC) است. در این پژوهش فرایند فلش زینتر سرامیک وریستور بر پایه ZnO-Bi2O3-Sb2O3(ZBS) مورد بررسی قرار گرفته و اثر تغییر نسبت مولی ترکیب و افزودن اکسیدکبالت (Co3O4) به عنوان عامل افزایش‌دهنده هدایت الکتریکی مطالعه شده است. شرایط بهینه فرایند فلش با اعمال مقادیر مختلف میدان الکتریکی و چگالی جریان تعیین شد که نهایتاً میدان الکتریکی V/cm 300 و چگالی جریان mA/mm2 100 بدست آمد. بررسی ساختاری و شناسایی فازهای تشـکیل شـده به ترتیب به وسیلۀ میکروسـکوپ الکترونـی روبشـی و پـراش پرتـوی ایکس انجام شده است. اندازه‌گیری مشخصات الکتریکی وریستور (ضریب غیرخطی، ولتاژ شکست و جریان نشتی) تحت میدان الکتریکیDC صورت گرفت. چگالی نمونه دارای افزودنی اکسیدکبالت 97 درصد چگالی تئوری شد. نتایج SEM حاکی از تشکیل ریزساختار وریستور با متوسط اندازه دانه 3 میکرون می‌باشد. با تعیین مشخصات الکتریکی، رفتار وریستوری مشاهده شد که در آن ضریب غیرخطی 22، ولتاژ آستانه V/cm 4500 و چگالی جریان نشتی μA/mm2 50 بود.
|
|
| واژه‌های کلیدی: فلش زینتر، وریستور، اکسید روی، ZBS |
|
|
متن کامل [PDF 1600 kb]
(193 دریافت)
|
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
روش‌های نوین فرآوری و ساخت سرامیکها
دریافت: 1401/5/10 | پذیرش: 1401/6/5 | انتشار: 1400/12/10
|
|
|
|
|
|
|
| ارسال پیام به نویسنده مسئول |
|
|
|
| ارسال نظر درباره این مقاله |
|
|
|
