فصلنامه سرامیک ایران
جلد 19، شماره 1 - ( بهار 1402 )
جلد 19 شماره 1 صفحات 50-41 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Golmohamadi Samani F, Ahmadimoghadam H. Investigating the effect of annealing temperature on the dielectric properties of zinc oxide ceramic. Jicers 2023; 19 (1) :41-50
URL: http://jicers.ir/article-1-453-fa.html
URL: http://jicers.ir/article-1-453-fa.html
گل محمدی سامانی فائزه، احمدی مقدم هاجر. بررسی تأثیر دمای آنیل بر خواص دی‌الکتریک سرامیک اکسید روی. فصلنامه سرامیک ایران. 1402; 19 (1) :41-50
دانشگاه شهرکرد ، hajar.ahmadi@sku.ac.ir
چکیده: (1419 مشاهده)
سرامیک اکسید روی به دلیل ویژگی‌های منحصر به فرد مانند خاصیت نیمه رسانا، فوتوکاتالیستی، زیست‌سازگاری و ثابت دی‌الکتریک بالا مورد توجه است. در این تحقیق تأثیر دمای آنیل بر خواص دی‌الکتریک، ریزساختار و مقاومت الکتریکی اکسید روی بررسی شده است. نمونه‌های اکسید روی بعد از تف‌جوشی در ºC 1250، در دماهای 850، 950 و ºC 1050 به مدت 4 ساعت آنیل شدند. نتایج آنالیز پرتو اشعه ایکس نشان داد با آنیل کردن، میکروکرنش در نمونه‌ها کاهش و اندازه بلورک‌ها افزایش می‌یابد. در اندازه و مورفولوژی دانه‌های ریزساختار نمونه بدون آنیل و نمونه‌های آنیل شده در دماهای مختلف تفاوتی مشاهده نگردید. عملیات آنیل منجر به کاهش چشم‌گیری در مقادیر ثابت دی‌الکتریک، تانژانت دلتا و هدایت سرامیک اکسید روی گردید. کمترین مقادیر ثابت دی‌الکتریک، اتلاف دی‌الکتریک و هدایت برای نمونه آنیل شده در دمای ºC 950 حاصل شد. با آنیل کردن در دمای ºC 950، ثابت دی‌الکتریک سرامیک اکسید روی از مقدار 111000به 35000 و تانژانت دلتا از مقدار 22 به 6، اندازه‌گیری شده در فرکانس یک کیلوهرتز، کاهش یافت. کاهش اتلاف دی‌الکتریک می‌تواند به کاهش میکروکرنش و افزایش اندازه بلورک‌ها نسبت داده شود. عملیات آنیل منجر به افزایش در مقاومت الکتریکی دانه و مرز دانه سرامیک اکسید روی شد. افزایش قابل توجه در مقاومت الکتریکی مرزدانه می‌تواند بیان‌گر کاهش غلظت جاهای خالی اکسیژن باشد، که باعث کاهش ثابت دی‌الکتریک سرامیک اکسید روی شده است.
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميک‌هاي الكتریكي، نوري و مغناطيسي
دریافت: 1401/11/8 | پذیرش: 1402/2/26
دریافت: 1401/11/8 | پذیرش: 1402/2/26
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |