فصلنامه سرامیک ایران
مقالات منتخب برای انتشار در شماره‌های آتی
برگشت به فهرست مقالات |
برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه آزاد اسلامی واحد میانه ، m_mirzayi2003@yahoo.com
چکیده: (289 مشاهده)
سرامیکهای الکترونیکی بر پایه اکسید روی (بعنوان ماده اصلی سازنده) و پنتو اکسید وانادیم بعنوان آلایش، تهیه و به مدت 2 ساعت در دمای 1000 درجه سانتیگراد تفت جوشی شد. مطالعه خواص ساختاری آن توسط میکروسکوپ الکترونی و پراش اشعه X انجام شد که در آن، دانههای رشد یافته اکسید روی بعنوان فاز اصلی مشاهده شدند. با افزایش میزان پنتو اکسید وانادیم در ترکیبات، چگالی نمونهها افزایش یافت. همه نمونههای ساخته شده در محدودهای از میدان اعمال شده، رفتار غیر خطی جریان-ولتاژ از خود نشان دادند. ضریب غیر خطی در این ترکیبات شدیداً به درصد مولی آلایش وابسته بود و ولتاژ آستانه شکست با افزایش میزان آلایش کاهش یافت. رفتار غیر اهمی مشاهده شده با تشکیل سد پتانسیل در مرز بین دانه‌ها توضیح داده شد.
نوع مطالعه: پژوهشي |
موضوع مقاله:
سراميک‌هاي الكتریكي، نوري و مغناطيسي
دریافت: 1402/11/1 | پذیرش: 1402/12/12
دریافت: 1402/11/1 | پذیرش: 1402/12/12
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |